Bias-T-stykker, 0,1~26,5 GHz, SMA

Dette produktet er en høytytende, ultrabredbånds DC bias-T-kobling, som opererer fra 0,1 til 26,5 GHz. Den har robuste SMA-kontakter og er designet for krevende mikrobølge-RF-kretstesting og systemintegrasjon. Den kombinerer effektivt og sømløst RF-signaler med DC bias-effekt, noe som gjør den til en viktig passiv komponent i moderne laboratorier, luftfart, kommunikasjon og forsvarselektronikksystemer.

Kjennetegn:

1. Ultrabredbåndsdrift: Kjernefordelen er det ekstremt brede frekvensbåndet, som dekker fra 100 MHz til 26,5 GHz, og som støtter nesten alle vanlige frekvensbånd som er oppnåelige med SMA-grensesnitt, inkludert avanserte applikasjoner som 5G, satellittkommunikasjon og millimeterbølgetesting.
2. Svært lavt innsettingstap: RF-banen viser svært lavt innsettingstap over hele frekvensbåndet, noe som sikrer effektivitet og integritet for høyfrekvent signaloverføring samtidig som det minimerer påvirkningen på ytelsen til enheten som testes eller systemet.
3. Utmerket isolasjon: Ved å bruke høyytelses blokkeringskondensatorer og RF-drosler internt, oppnås høy isolasjon mellom RF-porten og DC-porten. Dette forhindrer effektivt RF-signallekkasje inn i DC-forsyningen og unngår at støy fra DC-forsyningen forstyrrer RF-signalet, noe som sikrer målenøyaktighet og systemstabilitet.
4. Høy effekthåndtering og stabilitet: DC-porten kan håndtere opptil 700 mA kontinuerlig strøm og har overstrømsbeskyttelse. Den er plassert i et metallhus og tilbyr god skjermingseffektivitet, mekanisk styrke og termisk ytelse, noe som sikrer langvarig stabil drift selv i tøffe miljøer.
5. Presisjons-SMA-kontakter: Alle RF-porter bruker standard SMA-hunkontakter, som gir pålitelig kontakt, lav VSWR, god repeterbarhet og egnethet for hyppige tilkoblinger og høypresisjonstestscenarioer.

Bruksområder:

1. Testing av aktive enheter: Mye brukt i testing av mikrobølgetransistorer og forsterkere som GaAs FET-er, HEMT-er, pHEMT-er og MMIC-er, og gir presis og ren biasspenning til gates og drains, samtidig som den muliggjør S-parametermålinger på waferen.
2. Forspenning av forsterkermodul: Fungerer som et frittstående forspenningsnettverk i utvikling og systemintegrasjon av moduler som lavstøyforsterkere, effektforsterkere og driverforsterkere, noe som forenkler kretsdesign og sparer PCB-plass.
3. Optisk kommunikasjon og laserdrivere: Brukes til å gi likestrømsforspenning for høyhastighetsoptiske modulatorer, laserdiodedrivere osv., samtidig som de overfører høyhastighets RF-modulasjonssignaler.
4. Automatiserte testsystemer (ATE): På grunn av sin brede båndbredde og høye pålitelighet er den ideelt egnet for integrering i ATE-systemer for automatisert testing av store mengder komplekse mikrobølgemoduler som T/R-moduler og opp/ned-omformere.
5. Forskning og utdanning: Et ideelt verktøy for mikrobølgekrets- og systemeksperimenter ved universiteter og forskningsinstitutter, som hjelper studentene med å forstå designprinsippene for sameksisterende RF- og DC-signaler.

Qualwave Inc. tilbyrbias-t-skjortermed forskjellige kontakter i standard- / høy RF-effekt- / kryogenversjoner for å møte ulike kundebehov. Frekvensområdet kan dekke opptil 16 kHz til 67 GHz på det bredeste. Denne artikkelen introduserer en 0,1~26,5 GHz SMA bias-T-kobling.